英特尔在芯片封装技术方面取得重大进展

英特尔在芯片制造技术上对台积电和三星的技术优势可能已经有所下降,但该公司似乎在芯片封装方面取得了很大的进步。 一段时间以来,我们已经知道了EMIB(嵌入式多模互连桥),这是英特尔使用全向互连器的高性价比的替代方案;还有Foveros的异质多模封装;但该公司显然已经发明了更多的3D芯片堆叠形式,WikiChip Fuse的一份报告中详细介绍了这一点。 通过利用ODI(全向互连(omni-directional interconnect),即EMIB和Foveros的下一个演进步骤,英特尔能够将多个芯片堆叠在玻璃纤维基板的上方,相互之间的上方;以及基板的压痕和空腔内。英特尔在芯片封装技术方面取得重大进展

ODI由类似EMIB的硅片组成,可以在两个硅片之间实现高密度布线(如GPU和内存堆栈,或SoC和核心逻辑);以及作为硅片凸点延伸到基板的铜极。 有两种类型的ODI。 类型一是指运行在两个顶层芯片之间的互连,ODI芯片坐在芯片间连接区域的节点上,而铜极则是补偿Z高度差的补偿。 在没有铜极的情况下,芯片设计者可以选择具有空腔(层数较少的区域)的基板,ODI芯片可以在其中开槽。 在2型ODI中,互连芯片完全坐在一个顶层芯片下面,在同一芯片的两个区域之间或两个芯片之间提供高密度布线。 这两种类型可以混合和匹配,以实现极其复杂的MCM。